設計技術開発部はメモリ技術研究所のデバイス技術研究開発センターに属し、メモリチップの回路設計と性能評価・解析を専門に担当しています。いちばんのミッションは、明日の情報社会が求める新規メモリを、回路設計の観点から研究開発していくイノベーション。現在のNAND型フラッシュメモリや3次元のBiCS FLASH™とは素子構造も動作原理も異なる、文字通りエポックメイキングな次世代メモリの開発に的を絞り込んでいます。

それが何かという「What」は明確です。非常に高速で動くけれど、電気を切るとデータが消えてしまうDRAMと、不揮発性で電気を切ってもデータは消えない代わり、書き込み速度が遅いフラッシュ、それぞれの長所だけを抱き合わせたメモリがそれで、理想的な特性を有するところから「ユニバーサルメモリ」とも呼ばれます。そしてその本命と目されているのが「ストレージクラスメモリ(SCM)」で、世界のメモリメーカーが開発競争にしのぎを削っています。しかしどうしたら理想的な性能を実現できるかという「How」には、どこもまだ答えを出し切れておらず、そこが最大の課題になっているのです。

メモリ技術研究所は当社の中央研究機関で、世界に伍して最先端メモリ技術のR&Dを推進している「日本で唯一の存在」です。言い換えれば、ユニバーサルメモリを生み出せるのは、わが国では私たちだけ。NAND型を世界で初めて発明し、技術力で業界をリードしてきた伝統を受け継いで、今度は「世界初の真なるSCM」を実現したい、いや必ず実現してみせると大志を抱いています。

設計技術開発部のメンバーは、内外の大学や研究機関との情報交換、学会活動などを通じて、さまざまな技術シーズをいち早くキャッチ。「尖った特性」があり、コンピュータシステムのブレイクスルーにつながる可能性を持つメモリを発掘して開発テーマに仕込んでいきます。回路設計を主軸に、材料や物理系など関連する工学の知見を持つエンジニアがチームを組み、システム技術やプロセス技術の研究開発センターとも連携しながら、探索を進めています。

「まだ世の中にないもの」へのアプローチだけに、道すじは定まっておらず、すべてが成功するわけでもありません。とはいえ、新しいものづくりへの挑戦を高く評価し、前向きの失敗を許容する文化が定着している会社です。どんなに険しくても、自らの手でフロンティアロードを切り拓いていこうと、冒険心・探究心にあふれてチャレンジする方を、私たちは確かな活躍の機会を用意してお待ちしています。

求めているのは、第一にメモリ、ロジック、パワーデバイスなど、何らかの半導体回路設計の知見・経験です。特に先行開発の経験ある方、プロジェクトマネジメントの経験ある方のご応募を期待しています。新規開発では難関に直面するケースが多いため、チームワークでどう解決を図るか、ぜひご自身の成功／失敗体験を活かしてプロジェクトを牽引する力になっていただきたいのです。設計技術開発部には、エンジニアが自分の発想を具現化できる環境が整っています。独りよがりではなく、自分のアイデアを周りに分かりやすく伝え、メンバーを巻き込んでチームをつくりドライブしていく…アイデアに対する情熱があり、プロジェクトをまとめる力を持つ方が、理想のメモリ開発に打ち込めるフィールドだと確信しています。