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Interview
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デバイス技術研究開発
デバイス技術研究開発センター
設計技術開発部 部長
世の中にないメモリを先駆けてつくり、
世界で勝てるシナリオを描く。
Interview.1
今あるものから
まだないものへ、先物を探す。
土田 賢二さんの写真

世の中に今あるメモリは、揮発性メモリと不揮発性メモリ2つに大別されます。

揮発性メモリの代表であるDRAMはコンピュータのCPUに直結しているメモリで、非常に高速で動くのが特徴ですが、電気を切るとデータが消えてしまう点が大きな課題です。逆にフラッシュメモリは、電気を切ってもデータが消えない代わり、書き込みのスピードが遅いという問題があります。

それだけに、不揮発性と高速性を併せ持つメモリがあれば、より使いやすくて低消費電力の情報機器を実現できるのではないか。 こうした世の中のニーズに応えるべく、デバイス技術研究開発センターでは、新しい概念、新しい物理現象に基づく、世の中にまだ出ていない先物の研究開発に力を注いでいます。私が部長を務める設計技術開発部はそうした新しいメモリの回路設計にフォーカス。横浜にオフィスを構え、四日市工場のエンジニア部隊と連携しながら、将来のメモリデバイスを幅広く探究しています。

Interview.2
満額回答を目標に
新しいものをつくる難しさ。
土田 賢二さんの写真

「ストレージクラスメモリ(SCM)」というワードを耳にしたことはありませんか。DRAMとフラッシュメモリの間を埋めてコンピュータシステムを進化させる、次世代メモリの本命として注目を集めています。

しかし、この領域をターゲットにする事を目的のひとつとした初期段階の製品は世の中に出ているものの、SCMの本命となり得るデバイスはまだ出ておらず、世界のメーカーが開発競争にしのぎを削っています。私たちも、いかに早く技術をキャッチアップするか、性能や機能でどう凌駕していくかを意識しながら開発を進めています。

ポイントは不揮発かつ高速で、CPUに直結して動くDRAMの働きにどこまで近づけるか。望ましい姿は見えていますが、なかなか満額回答を出せるものがありません。これまでにない機能を実現するには、革新的な原理に基づくメモリ素子やデバイス構造を開発・設計する必要があり、困難な道のりですが、その分楽しさもあるのです。

Interview.3
確かな技術基盤の上で、
メモリのあり方を探究できる。
土田 賢二さんの写真

私たちには、NAND型フラッシュメモリを発明して世界をリードしてきた優位性があります。材料や素子が変わってもノウハウは活かせるので、確かな技術基盤の上に立ちつつ、次世代メモリのあり方を探究できるのが、当社のエンジニアの利点だと思います。

一方で、部署には物理、電気・電子工学、化学をはじめ、多岐にわたる専門の技術者が揃っています。キャリア入社の希望分野としては、例えば、システムLSIやパワーデバイスの知識・経験を持つ人、半導体物性、量子、理論物理の出身者、ニューロコンピュータ等の新分野での経験者など、専門性を持った方も歓迎しますが、一方で、新しい技術領域を開拓する仕事だけに、専門分野にはあまりとらわれずに、半導体メモリにつながる新しい発想とその情熱を持った方を広く歓迎しています。

Interview.4
「世の中にないものをつくる」
その情熱をモチベーションに。
土田 賢二さんの写真

私は入社後15年強ほどDRAMの回路設計に従事。2002年から新規メモリの研究開発に携わってきました。磁石の力で不揮発性を保つMRAM(MagneticRAM)の開発では、韓国に駐在してSKハイニックスとの共同開発に参画。その成果を国際学会で発表しました。3次元「BiCS FLASH™」の開発初期時にも関わりましたし、いろいろ新しい分野に触れてきましたが、まだまだ満足はしていません。

自分の歴史を振り返ると、世の中にない新しいものを開発するのは難しいと実感しています。でもやはり、ないものを先駆けてつくっていくんだ、という想いこそが、最大のモチベーション。世の中に初めて出た時に、『あれは私たちが手がけたものです』と言えることは、これ以上はない喜びでしょう。そんな、明日の世界で勝てるシナリオを、ストレージクラスメモリで実現したい、いや、実現できると信じています。

Interview.5
メモリ技術を通じて
世界をますます便利に。
土田 賢二さんの写真

データセンターのサーバーには、膨大な量のDRAMが使われています。このメインメモリのかなりの部分をストレージクラスメモリで置き換えることができれば、電気の使用量を大きく減らせます。無停電電源装置等、電源の簡略化につながりますし、メンテナンスの手間も省けます。さらに、データトラフィックの信頼性や高速性を高めることで、スマホやSNSなどのデータをより確実に保全・利用できるようになります。

次世代のメモリ技術を提供しながら、こうして世界をますます便利にしていくのが、私たちキオクシアのミッションなのです。とはいえ、きれいなシナリオで進むことは少なく、一筋縄では行かないケースがほとんどなだけに、新しいアイデアやデバイスに対する想いを抱いてチームを引っ張っていく牽引力も重要です。キャリア入社の方には、さまざまな専門性と前職での経験を活かして、積極的にプロジェクトを率いていく存在になっていただきたいと期待しています。

※インタビュー内容は取材時のものです。(2017年取材)
PROFILE
土田 賢二さんの顔写真
土田 賢二
メモリ技術研究所
デバイス技術研究開発センター
設計技術開発部 部長
1985年 入社(専攻は電気工学)
1985年~ DRAMの開発
2002年~ 新規メモリの設計開発
2011~16年 韓国に駐在。SKハイニックスとMRAMを共同開発
2017年 4月 現職
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